Indium Phosphide (InP) טכנולוגיית עיבוד מוליכים למחצה
תוֹכֶן הָעִניָנִים
מָבוֹא
דרישות יישום
מפרט מערכת
זרימת עיבוד
מקרה לקוח
דרישות יישום
עיבוד פרוסות InP חייב להשיג את המטרות הבאות:
חספוס פני השטח: לאחר-ליטוש Ra פחות או שווה ל-1 ננומטר
שינוי עובי כולל (TTV): רקיק סופי TTV פחות או שווה ל-2 מיקרומטר
בקרת עובי: עובי יעד 150 מיקרומטר (בכפוף לדרישות הלקוח)
שטוחות הקצוות: פיצוי על עיוות הקצוות בשלב הליטוש באמצעות לוח השחזה קמור.
מפרט מערכת
מערכת השחזה והליטוש המדויקת של HSM מספקת פתרון תהליך מלא-.
זרימת עיבוד
הכנת טחינה
השתמש במד בדיקת שטוחות כדי לכייל את הקמור של לוח השחזה של הזכוכית (המשמש לפיצוי על השפעות קצה הליטוש).
טען את רקיקת InP על המתקן הייעודי (ASJ). בצע טחינה-בשני שלבים באמצעות תמיסת אלומינה:
שלב 1:הסר נזקי חיתוך, הפחתת החספוס ל-250-350 ננומטר.
שלב 2:שפר את השטיחות, השגת חספוס של 200-350 ננומטר ו-TTV פחות או שווה ל-3 מיקרומטר.
הכנת פוליש
החלף את פלטת ה-Lapping עם כרית ליטוש והחלף את חומר השוחקים ל-HSM ליטוש מיוחד.
שליטה בפרמטרים מרכזיים באמצעות הממשק הגרפי:
מהירות לוחית ליטוש: פחות או שווה ל-100 סל"ד
קצב זרימת הבליעה: מנוטר על ידי-מערכת בקרת הזנת טפטוף בזמן אמת (מפחית פסולת)
עומס לחץ: מותאם באופן דינמי בהתאם לדרישות העובי.
יעד:הסר את הנזק התת-- לפני השטח והשיג משטח חלק מבחינה אטומית (Ra פחות מ-1 ננומטר או שווה ל-1 ננומטר).
תוצאות
פרוסות InP בגודל 2-אינץ' שעובדו על ידי מערכת HSM-LP השיגו את הביצועים הבאים:
מקרה לקוח
לקוח השתמש במערכת HSM-LP כדי לעבד פרוסות InP בגודל 2 אינץ' (50 מ"מ). התהליך והתוצאות הם כדלקמן:
טחינה דו-שלבית:
קמורות הלוח מכויל לעקמומיות המטרה (כדי לנטרל עיוות קצה).
חומר הוסר בהדרגה עם תמיסת אלומינה, TTV התייצב על 3 מיקרומטר.
ליטוש:
קצב זרימת תמיסת הליטוש מוגדר ל-50 מ"ל לדקה, מהירות הפלטה ב-80 סל"ד.
חספוס פני השטח מופחת מ-350 ננומטר ל-1 ננומטר (אומת על ידי פרופילמטר Dektak).
מדדים סופיים:
עובי: 150 ± 0.5 מיקרומטר
שטוחות: TTV פחות או שווה ל-1 מיקרומטר
שלמות קצה: ללא שבבים.
אימות טכני
סכמטי: מורפולוגיה של פני השטח של רקיקת InP לאחר עיבוד על ידי מערכת HSM-LP.
הערות:
ציוד מדידה: Bruker ContourGT אינטרפרומטר אור לבן
תפוקת התהליך המלאה{{0}: גדולה או שווה ל-98% (גודל אצווה של 80 פרוסות)
